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官宣!三星首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功 图片

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Galaxy S21 Ultra 5G

2022-12-21 23:36

2022年12月21日,三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米(nm)级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM,并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。结合先进的多层极紫外(EUV)光刻技术,新款DRAM拥有三星最高的Die密度(Die density),可使晶圆生产率提高20%。



基于DDR5最新标准,三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒(Gbps)的速度,这意味着一秒钟内处理两部30GB的超高清(UHD)电影。



新款DRAM同时拥有卓越的速度与更高的能效。与上一代三星DRAM产品相比,12nm级DRAM的功耗降低约23%,对于更多追求环保经营的全球IT企业来说,这将会是值得考虑的优选解决方案。



随着2023年新款DRAM量产,三星计划将这一基于先进12nm级工艺技术的DRAM产品扩展到更广泛的市场领域,同时继续与行业伙伴合作,推动下一代计算的快速发展。
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